Toshiba, 자동차 장비에 더 많은 전류를 지원하는 새로운 고열 분산 패키지를 사용한 자동차용 40V N-채널 전력 MOSFET 출시


Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)는 자동차용 40V N-채널 전력 MOSFET인 ‘XPQR3004PB’ 및 ‘XPQ1R004PB’를 출시했다. 새로운 L-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads) 패키지를 사용하며 높은 드레인 정격 전류와 낮은 온 저항이 특징이다. 배송은 오늘부터 시작된다.

최근 몇 년 동안 EV로의 전환으로 인해 자동차 장비의 전력 소비 증가에 적응한 부품에 대한 수요가 급증했다. 이 신제품은 많은 전류, 낮은 저항 및 높은 열 방산을 지원하는 Toshiba의 새로운 L-TOGL™ 패키지를 사용한다. 제품에는 내부 포스트[1] 구조가 없는데, 소스 연결 부품과 외부 리드를 구리 클립으로 일체화해서 구현했다. 소스 리드의 다중 핀 구조는 패키지 저항을 기존 TO-220SM(W) 패키지의 약 30%로 감소시켜 XPQR3004PB의 드레인 정격 전류(DC)를 기존 제품보다 1.6배 높은 400A까지 높였다.[2] 두꺼운 구리 프레임을 사용해 XPQR3004PB의 채널 대 케이스 열적 임피던스를 현재 제품의 50%로 줄였다.[2] 이러한 기능은 더 많은 전류를 지원하고 자동차 장비의 손실을 낮춰준다.

새로운 패키지 기술을 사용한 이 신제품은 많은 전류가 필요한 반도체 릴레이 및 통합 스타터 제너레이터용 인버터와 같은 애플리케이션에 대한 열 방산 설계를 단순화하고 필요한 MOSFET의 수를 줄여서 장비 크기를 줄이는 데 도움을 줄 것이다. 고전류 작동이 필요한 애플리케이션의 경우, 여러 장치가 병렬로 연결될 것이라고 가정하고 Toshiba는 신제품에 대해 그룹화 배송[3]을 지원해 그룹화에 게이트 임계 전압이 사용되도록 했다. 이렇게 되면 특성 편차가 작은 제품 그룹을 사용해 설계할 수 있다.

자동차 장비는 다양한 온도 환경에서 사용되기 때문에 표면 실장에서 땜 연결부의 안정성이 결정적인 고려 사항이다. 신제품은 실장 응력을 줄이는 걸윙 리드를 사용해 납땜 연결부의 안정성을 향상한다.

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